一个叫USB-IF的协会，前后将USB3分为3.0、3.1和3.2，麻烦的事情是，这三者并不是相互独立的，是直接取缔前者。按照这个协会的意思，目前还不存在USB3.0和USB3.1，只有USB3.2。USB3.2分为：
(资料图)
除了在U盘PCB对于板上的外部测试设备，我们无法测量主控制器的吞吐量。跑分软件只能评估硬盘的综合能力，而不能单独测量主控制器的性能。
主控决定吞吐能力除了在U盘PCB对于板上的外部测试设备，我们无法测量主控制器的吞吐量。运行点软件只能评估硬盘的综合能力，而不仅仅是主控制器的性能。此外，制造商通常不会告知用户主控制器的频率和调整结果。是的，这很难，但根本没有办法。
这里逗豆侠教你一个小技巧，看看主控的位宽，支持的通道数和工艺流程。
你可以把U盘想象成一台小电脑，闪存是存储器，主控是处理器。很久以前，处理器的位宽不是现在的64位，而是32位，16位，8位……位宽越小，处理器能同时处理的数据越小，同时吞吐量上限越小。同样，位宽越小，处理器到每个存储器的通道越少，可能只有一个，甚至只支持一个闪存芯片。此外，U盘主控逐渐开始采用更现代的工艺工艺，在提高运行速度的同时，可以降低功耗和热量。3. 闪存右边大片的黑色芯片是闪存，来源:Wikipedia刮掉表面的黑色塑料，你可以看到密集的小块和小单元，所以很多人直接称闪存为颗粒。
逗豆侠忍不住吐槽:终于说到这里了:-)这是一个很大的坑，还有很多烈士试图在厂家面前举起义旗:-)应该有一个明确的标准来评估闪存体质，但由于某种不可抗力，它已经成为一个难以形容的领域，作为普通用户，你不必知道你心中的U盘是用所谓的原片、白片、黑片还是划片，因为知道也没用。逗豆侠也不愿介绍闪存品牌，真正造成性能瓶颈的与品牌无关。逗豆侠也不愿介绍闪存品牌，真正造成性能瓶颈的与品牌无关。豆侠不想多说这个相关的事情，但确实是数字行业的污点。相信在不久的将来，当闪存生产率大幅提高时，就不会有这个坑了。想了解自己U盘闪存颗的生产者、型号、批次的同学，可以使用前面提到的闪存精灵或者FlashMaster进行查询。闪存有两个与性能直接相关的参数：
存储单元数据存储量闪存中的每个单元都是完整的MOSFET，早先处于SLC在这个时代，控制器直接看单元的电压，是否代表1和0。但某个
聪明科学家们发现，我们可以进一步看到这个单元的电压有多大，根据值分为四个(MLC)、8个(TLC)、16个(QLC)、32个(PLC)……
这个想法很有天赋。过去，一个单元只能存储表示两种状态的数据。现在它可以表示这么多。我觉得当成本保持不变时，容量可以翻倍！但现实是，MOSFET格栅极不能保证高精度和短时间。处理相同数据量的时间比SLC明显更长，即吞吐速度减慢，以指数形式提高工作，存储单元的使用寿命也显著降低。除非能新出XXFET，提高控制器的开关效率，否则单靠提高闪存负载平衡等功能根本无法实质性提高。根据目前的评估，从目前的评估来看，SLC一直到PLC，一代不如一代，后浪的力量越来越小。
2020年，具体选择U盘的是，不要奢望MLC和SLC只要不买颗粒QLC中小容量版很幸运。
3D NAND 层数这很容易理解。层数越多，芯片容量越大。现在主流SSD96层了96层的3D NAND，但大多数U盘仍然使用低层甚至2D的NAND颗粒。当然，3D NAND闪存型号判断层数。虽然主控访问带宽没有变化，但增加层数可以显著提高并行访问能力。稳定性近年来，由于用户习惯性地认为制造商在产品推出前进行了严格的稳定性测试，消费者忘记了对安全指数要求高的电子消费品，测试稳定性也是一个非常重要的环节。毕竟，所有与数据相关的产品都必须肩负着保护数据的使命。如果不能保证存储设备本身的稳定性，逗豆侠宁愿不使用。
主要有闪存颗粒的体质、电路设计、封装工艺、PCB焊接工艺、U盘壳材料、防水防尘设计、散热设计，展开时可轻松将本文长度翻倍。逗豆侠不挑战观众老爷们的耐心，只指出几个坑，这些坑逗豆侠强烈建议你避开：
由于闪存颗粒的体质，硬盘坏区几乎是不可避免的，一般都在USB的RAM写入相关屏蔽代码。但是坏区太多了，可能会让你读写U盘的时候损坏数据，逗豆侠在转移系统的时候会因为U盘坏区而损失一些文件。中低端U盘有很多坏区。建议一买回来就用。H2testw查询硬盘坏区，如果有很多，再买一个:-)电气性能不过关逗豆侠经经关键词：
